VT6T12T2R

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок VMT-6

Полярность транзистора PNP

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 50 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) - 50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 0.15 V

Максимальный постоянный ток коллектора - 100 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 300 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия Неизвестно