2N6432

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-18

Полярность транзистора PNP

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 200 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 200 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V

Максимальный постоянный ток коллектора Неизвестно

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 50 MHz

Минимальная рабочая температура - 65 C

Максимальная рабочая температура + 200 C

Серия Неизвестно