Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / MJD122-TP
Характеристики
Технология Неизвестно
Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок DPAK-3
Полярность транзистора NPN
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Неизвестно
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия MJD122
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару