2SC3326-B,LF

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TO-236-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 20 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 25 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 42 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 300 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 30 MHz

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура + 125 C

Серия 2SC3326