2SC5706-P-E

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-251-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 240 mV

Максимальный постоянный ток коллектора Неизвестно

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 400 MHz

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия 2SC5706