PMD12K100

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-3-2

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V

Максимальный постоянный ток коллектора 8 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 4 MHz

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия Неизвестно