TSB772CK B0G

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-126-3

Полярность транзистора PNP

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 30 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) - 50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 0.3 V

Максимальный постоянный ток коллектора - 3 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 80 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия Неизвестно