HN1B01FU-GR,LF

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-363-6

Полярность транзистора NPN, PNP

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V, - 50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 100 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 150 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 150 MHz, 120 MHz

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура + 125 C

Серия HN1B01