SMBT3946DW1T1G

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-363-6

Полярность транзистора NPN, PNP

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) - 40 V, 60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V, 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 250 mV, 200 mV

Максимальный постоянный ток коллектора - 200 mA, 200 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 250 MHz, 300 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия MBT3946DW1T1