Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / SMBT3946DW1T1G
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-363-6
Полярность транзистора NPN, PNP
Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) - 40 V, 60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V, 6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 250 mV, 200 mV
Максимальный постоянный ток коллектора - 200 mA, 200 mA
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 250 MHz, 300 MHz
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия MBT3946DW1T1
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару