Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / 2SA2013-TD-E
Характеристики
Технология Неизвестно
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок PCP-3
Полярность транзистора PNP
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 50 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) - 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 200 mV
Максимальный постоянный ток коллектора - 7 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 360 MHz
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура Неизвестно
Серия 2SA2013
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару