Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / ZTX851STZ
Характеристики
Технология Неизвестно
Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-92-3
Полярность транзистора NPN
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 150 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 250 mV
Максимальный постоянный ток коллектора 5 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 130 MHz
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия ZTX851
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару