Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / PHE13003C,412
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы - BJT Silicon diffused power transistor
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-92-3
Полярность транзистора NPN
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 400 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 700 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 9 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Максимальный постоянный ток коллектора 1.5 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Неизвестно
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
