2N5193

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-126-3

Полярность транзистора PNP

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 40 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.4 V

Максимальный постоянный ток коллектора Неизвестно

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 2 MHz

Минимальная рабочая температура - 65 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия 2N5193