Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / 2SA1419T-TD-E
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-243-3
Полярность транзистора PNP
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 160 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) - 180 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 450 mV
Максимальный постоянный ток коллектора Неизвестно
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 120 MHz
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия 2SA1419
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару