Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / NSS1C200MZ4T3G
Характеристики
Технология SMD/SMT
Вид монтажа SOT-223-4
Упаковка / блок PNP
Полярность транзистора Single
Конфигурация 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 140 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 7 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) Неизвестно
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3 A
Максимальный постоянный ток коллектора 2000 mW
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 120 MHz
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия NSS1C200
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
