2N4029

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-18-3

Полярность транзистора PNP

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 500 mV

Максимальный постоянный ток коллектора Неизвестно

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 150 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 200 C

Серия Неизвестно