ZTD09N50DE6QTA

Технология Неизвестно

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-26-6

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 24 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 1 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 215 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия ZTD09N50