Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / NSS40300DDR2G
Характеристики
Технология Неизвестно
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOIC-Narrow-8
Полярность транзистора PNP
Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 40 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) - 40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 7 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.135 V
Максимальный постоянный ток коллектора - 6 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия NSS40300DD
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару
