ZTX855STZ

Технология Неизвестно

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-92-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 150 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 250 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 210 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 4 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 90 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия ZTX855