2SC3649T-TD-H

Технология Неизвестно

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок SOT-89-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 160 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 180 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 130 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 1.5 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 120 MHz

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия 2SC3649