TIP112

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-220-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V

Максимальный постоянный ток коллектора 4 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 25 MHz

Минимальная рабочая температура - 65 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия TIP112