DXT5551P5-13

Технология Неизвестно

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок PowerDI-5

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 160 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 180 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 200 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 600 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 130 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия DXT5551