2N4912

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-66-2

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 600 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 1 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 3 MHz

Минимальная рабочая температура - 65 C

Максимальная рабочая температура + 200 C

Серия 2N4912