VT6Z1T2R

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок VMT-6

Полярность транзистора NPN, PNP

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 20 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 20 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 120 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 400 mA, - 400 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 350 MHz, 400 MHz

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия VT6Z1