SBC847BWT1G

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-323-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 250 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 100 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия BC847BW