Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / MMS8550-L-TP
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы - BJT PNP SILICON PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTOR
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-23-3
Полярность транзистора PNP
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. Неизвестно
Напряжение коллектор-база (VCBO) - 40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 0.6 V
Максимальный постоянный ток коллектора - 0.5 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 150 MHz
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия Неизвестно
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару