2N1131A

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-39-3

Полярность транзистора PNP

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V

Максимальный постоянный ток коллектора Неизвестно

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 90 MHz

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура Неизвестно

Серия 2N657