NSVBC857CWT1G

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-323-3

Полярность транзистора PNP

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 45 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) - 50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 0.9 V

Максимальный постоянный ток коллектора Неизвестно

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия BC856BWT1