Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / MJE200STU
Есть ROHS
Описание:
Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil
Характеристики
Технология Неизвестно
Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-126-3
Полярность транзистора NPN
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 25 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 8 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V
Максимальный постоянный ток коллектора 5 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 65 MHz
Минимальная рабочая температура - 65 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия MJE200
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару