TSC5302DCP ROG

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TO-252-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 400 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 700 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 10 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.1 V

Максимальный постоянный ток коллектора 4 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Неизвестно

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия Неизвестно