HBDM60V600W-7

Технология Неизвестно

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-363-6

Полярность транзистора NPN, PNP

Конфигурация Dual

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 60 V, 65 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) - 60 V, 80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5.5 V, 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 0.5 V

Максимальный постоянный ток коллектора 0.5 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия HBDM60