Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / 2SB1203S-H
Характеристики
Технология Неизвестно
Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-251-3
Полярность транзистора NPN, PNP
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 220 mV, - 280 mV
Максимальный постоянный ток коллектора 8 A, - 8 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 180 MHz, 130 MHz
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия 2SB1203
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару