Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / SBC856BDW1T3G
Характеристики
Технология Неизвестно
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SOT-363-6
Полярность транзистора PNP
Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 65 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) - 80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Неизвестно
Максимальный постоянный ток коллектора - 200 mA
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz
Минимальная рабочая температура - 55 C
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия BC856B
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару