BC857BLP-7

Технология Неизвестно

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок DFN1006-3

Полярность транзистора PNP

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 650 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 0.1 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 200 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия BC857B