SMMBT5551LT1G

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-23-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 160 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 180 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.25 V

Максимальный постоянный ток коллектора 600 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания Неизвестно

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия MMBT5551L