2N5629 PBFREE

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-3-2

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V

Максимальный постоянный ток коллектора Неизвестно

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 1 MHz

Минимальная рабочая температура - 65 C

Максимальная рабочая температура + 200 C

Серия 2N56