ZXTN2010ZQTA

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок Неизвестно

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 190 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 8.1 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 230 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 20 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 130 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия ZXTN2010