ZXTN25100DGQTA

Технология Неизвестно

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-223-4

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 180 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 120 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 3 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 175 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия ZXTN25100