BC55-10PASX

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок DFN-2020D-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 500 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 1 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 180 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия Неизвестно