2N1131

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-39-3

Полярность транзистора PNP

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 35 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V

Максимальный постоянный ток коллектора 0.6 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 50 MHz

Минимальная рабочая температура - 65 C

Максимальная рабочая температура + 200 C

Серия Неизвестно