2DB1132R-13

Технология Неизвестно

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок SOT-89-3

Полярность транзистора PNP

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 32 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) - 40 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 125 mV

Максимальный постоянный ток коллектора - 1 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 190 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия 2DB11