2N3734

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-39-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 200 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 1.5 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 250 MHz

Минимальная рабочая температура - 65 C

Максимальная рабочая температура + 200 C

Серия 2N3734