MJD200RLG

Технология SMD/SMT

Вид монтажа TO-252-3

Упаковка / блок NPN

Полярность транзистора Single

Конфигурация 25 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 8 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 1.8 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 5 A

Максимальный постоянный ток коллектора 12.5 W

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 65 MHz

Минимальная рабочая температура - 65 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия MJD200