Главная / Каталог компонентов / Полупроводниковые приборы / Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT / 2SA2125-TD-H
Характеристики
Технология Si
Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-243-3
Полярность транзистора PNP
Конфигурация Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 50 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) - 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 290 mV
Максимальный постоянный ток коллектора Неизвестно
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 380 MHz
Минимальная рабочая температура Неизвестно
Максимальная рабочая температура + 150 C
Серия 2SA2125
Наши специалисты ответят на любой интересующий вас вопрос по товару