CJD340 TR13 TIN/LEAD

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок DPAK-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 300 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 300 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 3 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1 V

Максимальный постоянный ток коллектора Неизвестно

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 10 MHz

Минимальная рабочая температура - 65 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия CJD3