2SD2679T100

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок MPT-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 180 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 2 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 280 MHz

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия Неизвестно