2SCR573D3TL1

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TO-252

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 130 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 3 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 320 MHz

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия Неизвестно