2SCR572D3TL1

Технология Si

Вид монтажа SMD/SMT

Упаковка / блок TO-252

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 200 mV

Максимальный постоянный ток коллектора 5 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 300 MHz

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия Неизвестно