BSX20

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-18-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 15 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 40 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 4.5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.25 V

Максимальный постоянный ток коллектора 10 mA

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 500 MHz

Минимальная рабочая температура Неизвестно

Максимальная рабочая температура Неизвестно

Серия Неизвестно