2N5551-T

Технология Si

Вид монтажа Through Hole

Упаковка / блок TO-92-3

Полярность транзистора NPN

Конфигурация Single

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 160 V

Напряжение коллектор-база (VCBO) 180 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.2 V

Максимальный постоянный ток коллектора Неизвестно

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz

Минимальная рабочая температура - 55 C

Максимальная рабочая температура + 150 C

Серия Неизвестно